[发明专利]一种稳压二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 202011304995.2 | 申请日： | 2020-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN112366231A | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 田李庄 | 申请（专利权）人： | 济南新芯微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 山东明宇知信知识产权代理事务所(普通合伙) 37329 | 代理人： | 钟文强 |
| 地址： | 250000 山东省济南市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体器件制作领域，涉及稳压二极管生产领域，尤其涉及一种稳压二极管及其制造方法。稳压二极管包括背面电极层、衬底N+、外延层N‑‑、外延层N‑、正电极区P+、保护扩散环P++、钝化层和银台电极，本发明的稳压二极管设计使用N+/N‑‑/N‑双外延层外延片，利用双扩散工艺制作PN结，钝化层包括由下到上依次设置的二氧化硅和氮化硅；工艺中采用PECVD工艺和双扩散结构制作工艺技术，简化工艺步骤的同时提高了芯片的性能。本发明的稳压二极管制造方法相较于传统工艺流程改动小，因此具有兼容性好、实用性强的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 稳压二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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