[发明专利]一种刻蚀硫酸工艺方法

摘要

本发明公开了一种刻蚀硫酸工艺方法，硅片在刻蚀工序，将刻蚀槽的纯水初配量设为220±50g/L，氢氟酸初配量设为100±50g/L，硝酸初配量设为510±50g/L，硫酸初配量设定为220±50g/L；将刻蚀槽的纯水补液量设为0mL/片，氢氟酸补液量设为4.0±2.0mL/片，硝酸补液量设为5.0±2.0mL/片，硫酸补液量设为1.5±1.0mL/片；本发明无需改进设备（适用于不同类型或牙深的滚轮），仅需刻蚀槽初配和生产过程中补加硫酸，通过工艺温度、循环流量和水膜量的综合优化与调整，即可实现硅片背面的抛光和反射率的提升，进而达到单晶电池转换效率提升的目的，且制备出硅片的各项电性参数完全符合原定要求，工艺简单，容易实现。