[发明专利]一种刻蚀硫酸工艺方法

权利要求书

1.一种刻蚀硫酸工艺方法，其特征在于：硅片在刻蚀工序，将刻蚀槽的纯水初配量设为220±50g/L，氢氟酸初配量设为100±50g/L，硝酸初配量设为510±50g/L，硫酸初配量设定为220±50g/L；将刻蚀槽的纯水补液量设为0mL/片，氢氟酸补液量设为4.0±2.0mL/片，硝酸补液量设为5.0±2.0mL/片，硫酸补液量设为1.5±1.0mL/片。

2.根据权利要求1所述的刻蚀硫酸工艺方法，其特征在于：包括单晶刻蚀机，所述单晶刻蚀机包括水膜、刻蚀槽、水洗槽、碱槽、水洗槽、酸洗槽、水洗槽和烘干槽，所述工艺方法包括如下步骤：

（a）硅片在刻蚀工序，首先通过自动化上料到滚轮上，滚轮的旋转带动硅片前进，水膜系统感知硅片到来开始喷水，水膜均匀地覆盖在硅片上表面以保护正面P-N结，过刻蚀槽去除硅片背面和四个边缘的P-N结使其上下表面绝缘，并对背面进行抛光，过水洗槽清洗，过碱槽中和硅片表面的残留酸、脱除硅片表面吸附的杂质和去除硅片表面的多孔硅，过水洗槽清洗，过酸洗槽中和硅片表面的残留碱、去除硅片表面的磷硅玻璃和氧化层以及生成疏水键，过水洗槽清洗，过烘干槽进行烘干，最后通过自动化下料；

（b）将硅片流入方向片间距设为5±3cm；

（c）将水膜量设定为20ml，各道偏差量为1～5ml；

（d）将刻蚀槽的滚轮带速控制在2.5±1.0m/min，温度设为12±5℃，循环流量设为40±15L/min；

（e）将刻蚀槽的纯水初配量设为220±50g/L，氢氟酸初配量设为100±50g/L，硝酸初配量设为510±50g/L，硫酸初配量设定为220±50g/L；

（f）将刻蚀槽的纯水补液量设为0mL/片，氢氟酸补液量设为4.0±2.0mL/片，硝酸补液量设为5.0±2.0mL/片，硫酸补液量设为1.5±1.0mL/片。

3.根据权利要求2所述的刻蚀硫酸工艺方法，其特征在于：所述工艺方法包括如下步骤：将硅片流入方向片间距设为5cm；将水膜量设定为20ml，各道偏差量为1～5ml；将刻蚀槽的滚轮带速控制在2.5m/min，温度设为12℃，循环流量设为40L/min；将刻蚀槽的纯水初配量设为220g/L，氢氟酸初配量设为100g/L，硝酸初配量设为510g/L，硫酸初配量设定为220g/L；将刻蚀槽的纯水补液量设为0mL/片，氢氟酸补液量设为4.0mL/片，硝酸补液量设为5.0mL/片，硫酸补液量设为1.5mL/片。

4.根据权利要求1所述的刻蚀硫酸工艺方法，其特征在于：所述硅片包括P型单晶硅片和N型单晶硅片。