[发明专利]集成电容器及其制造方法，射频电路

摘要

本发明涉及一种集成电容器及其制造方法，射频电路；所述集成电容器包括：第一金属层；第一介质层，设于第一金属层上；第二金属层，设于第一介质层上；第二介质层，设于第一介质层上；第三金属层，设于第二金属层上，与第二金属层直接接触，且第三金属层延伸至第二介质层上，第三金属层的厚度大于第二金属层的厚度；其中，第一金属层包括电容器的第一极板，第一介质层包括电容器的电容介电层，第二金属层包括电容器的第二极板；第二金属层的全部边缘被第二介质层覆盖，从而使得第三金属层与第二金属层的接触面积小于第二极板的面积。本发明在能够保证电容器获得准确电容值的前提下，可以不牺牲电容器的电容密度、占地面积和可靠性获得高品质因数。