[发明专利]带有屏蔽栅结构的IGBT器件及制造方法在审
| 申请号： | 202011297128.0 | 申请日： | 2020-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN112271214A | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 廖巍;张海涛 | 申请（专利权）人： | 无锡紫光微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L21/335 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;涂三民 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区菱*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种带有屏蔽栅结构的IGBT器件及制造方法，在第二导电类型集电极上设置第一导电类型缓冲层、第一导电类型衬底、第二导电类型体区与第一导电类型发射极，在第一导电类型发射极上开设有沟槽，在沟槽内设置屏蔽栅氧化层、栅极导电多晶硅、屏蔽栅多晶硅、屏蔽栅盖板与栅极氧化层，屏蔽栅多晶硅呈间隔地设置在栅极导电多晶硅的下方，在第一导电类型发射极、栅极氧化层与栅极导电多晶硅上设置绝缘介质层，在绝缘介质层上设置发射极金属，发射极金属通过通孔与第二导电类型体区以及第一导电类型发射极欧姆接触。本发明可调节器件的电场分布，降低IGBT的阈值、导通电阻和密勒电容，提高开关速度，降低开关损耗，同时还可以增强短路能力。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 屏蔽 结构 igbt 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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