[发明专利]一种高纯石墨坩埚的制备方法在审
| 申请号： | 202011294418.X | 申请日： | 2020-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN112340726A | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 戴煜;吴建;许鹏;王艳艳 | 申请（专利权）人： | 湖南顶立科技有限公司;南昌大学 |
| 主分类号： | C01B32/215 | 分类号： | C01B32/215;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京动力号知识产权代理有限公司 11775 | 代理人： | 张盼 |
| 地址： | 410137 湖南省长沙市长沙经济技术开发区星沙产业*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高纯石墨坩埚的制备方法，包括以下步骤：S1.取待提纯石墨坩埚，于2800℃以上，且真空条件下，进行高温提纯反应；S2.采用纯化气体A，于温度Ⅰ条件下，进行气热提纯Ⅰ反应；S3.采用纯化气体A和纯化气体B，于温度Ⅱ条件下，进行气热提纯Ⅱ反应；S4.采用纯化气体A和纯化气体B，于温度Ⅲ条件下，进行气热提纯Ⅲ反应，得到高纯石墨坩埚。本发明采用先进行高温提纯处理，然后再进行分阶段气热提纯处理的方法，使石墨坩埚达到较高的纯度，灰分和关键杂质含量都可以控制在一定范围内，采用该石墨坩埚制备的碳化硅单晶材料的缺陷明显下降，单晶的生长质量大大提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 石墨 坩埚 制备 方法 | ||
【主权项】：
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