[发明专利]一种高纯石墨坩埚的制备方法在审
| 申请号: | 202011294418.X | 申请日: | 2020-11-18 |
| 公开(公告)号: | CN112340726A | 公开(公告)日: | 2021-02-09 |
| 发明(设计)人: | 戴煜;吴建;许鹏;王艳艳 | 申请(专利权)人: | 湖南顶立科技有限公司;南昌大学 |
| 主分类号: | C01B32/215 | 分类号: | C01B32/215;C30B23/00 |
| 代理公司: | 北京动力号知识产权代理有限公司 11775 | 代理人: | 张盼 |
| 地址: | 410137 湖南省长沙市长沙经济技术开发区星沙产业*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 高纯 石墨 坩埚 制备 方法 | ||
1.一种高纯石墨坩埚的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1.高温提纯:取待提纯石墨坩埚,于2800℃以上,且真空条件下,进行高温提纯反应;
S2.气热提纯Ⅰ:采用纯化气体A,于温度Ⅰ条件下,对步骤S1提纯后的石墨坩埚,进行气热提纯Ⅰ反应;
S3.气热提纯Ⅱ:采用纯化气体A和纯化气体B,于温度Ⅱ条件下,对步骤S2提纯后的石墨坩埚,进行气热提纯Ⅱ反应;
S4.气热提纯Ⅲ:采用纯化气体A和纯化气体B,于温度Ⅲ条件下,对步骤S3提纯后的石墨坩埚,进行气热提纯Ⅲ反应,得到高纯石墨坩埚;
所述温度Ⅰ为1820~2000℃,所述温度Ⅱ为2420~2600℃,所述温度Ⅲ为2620~2800℃,所述纯化气体A为含氯气体,所述纯化气体B为含氟气体;
步骤S2~S4在目标温度条件下,包括多次气体循环步骤,所述气体循环步骤包括通入新鲜的纯化气体、保压以及抽出纯化气体步骤。
2.如权利要求1所述的高纯石墨坩埚的制备方法,其特征在于,
步骤S1所述高温提纯反应时间为10h以上。
3.如权利要求2所述的高纯石墨坩埚的制备方法,其特征在于,
步骤S1在高温提纯设备中进行,将待提纯的石墨坩埚置于高温提纯设备中,先进行抽真空处理,直至压力为-50~-100KPa,然后升温至2800℃以上,再保温10h以上。
4.如权利要求1所述的高纯石墨坩埚的制备方法,其特征在于,
步骤S2~S4在气热提纯设备中进行,将步骤S1高温提纯后的石墨坩埚置于气热提纯设备中,先进行抽真空处理,再升温,升至目标温度时,通入纯化气体进行提纯,且采用纯化气体提纯过程中,通入纯化气体保压一段时间,抽真空处理,排出纯化气体后,再通入新鲜的纯化气体进行保压,循环此操作,直至步骤S3在温度Ⅲ条件下提纯结束。
5.如权利要求4所述的高纯石墨坩埚的制备方法,其特征在于,
步骤S2所述温度Ⅰ条件下,所述纯化气体A在压力5KPa以上的总保压时间为2.5h以上;步骤S3所述温度Ⅲ条件下,所述纯化气体A和所述纯化气体B在压力5KPa以上的总保压时间为1h以上;步骤S4所述温度Ⅲ条件下,所述纯化气体A和所述纯化气体B在压力5KPa以上的总保压时间为5h以上。
6.如权利要求5所述的高纯石墨坩埚的制备方法,其特征在于,
步骤S2反应条件为:将步骤S1提纯后的石墨坩埚置于气热提纯设备中,先进行抽真空处理,至压力为-50~-100KPa后,然后升温,至温度Ⅰ时,停止抽真空,开始通入纯化气体A,气流量为150~250L/h,直至通入的气体绝对压力值为5KPa以上时停止,保压0.5~2h,然后于0.5h内抽真空至-50~-100KPa,循环步骤S1中通纯化气体过程,保持温度Ⅰ总循环时间>5h。
7.如权利要求4所述的高纯石墨坩埚的制备方法,其特征在于,
步骤S3反应条件为:将步骤S2提纯后的石墨坩埚继续抽真空至-50~-100Kpa,升温,至温度Ⅱ时,停止抽真空,通入所述纯化气体A和所述纯化气体B,所述纯化气体A和所述纯化气体B的气流量均为150~250L/h,直至通入的纯化气体绝对压力值为5KPa以上时停止,保压0.5~2h,然后于0.5h内抽真空至-50~-100KPa,循环步骤S3中通纯化气体过程,保持温度Ⅰ总循环时间>3h。
8.如权利要求5所述的高纯石墨坩埚的制备方法,其特征在于,
步骤S4反应条件为:将步骤S3提纯后的石墨坩埚继续抽真空至-50~-100Kpa,升温,升温至温度Ⅲ时,停止抽真空,通入所述纯化气体A和所述纯化气体B,所述纯化气体A和所述纯化气体B的气流量均为150~250L/h,直至通入的纯化气体绝对压力值为5KPa以上,保压0.5~2h,然后于0.5h内抽真空至-50~-100KPa,循环步骤S4中通纯化气体过程,保持温度Ⅲ总循环时间>10h。
9.如权利要求1所述的高纯石墨坩埚的制备方法,其特征在于,
进行气热提纯Ⅲ反应后还包括步骤S5,所述步骤S5反应条件为:停止提纯操作,持续抽真空,开始降温,至温度Ⅳ1200~1600℃后,保持101.5~110KPa压力降温至室温,得到高纯石墨坩埚。
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