[发明专利]半导体器件结构中多晶硅材料填充及3D NAND存储器制备方法

摘要

本发明提供一种半导体器件结构中多晶硅插塞材料的填充方法及3D NAND存储器的制备方法，在衬底的阵列区的堆叠结构中形成沟道结构之后，在堆叠结构的侧壁以及位于外围区域的衬底的表面形成保护层，该保护层具有相对多晶硅足够高的刻蚀选择比，例如可以是碳薄膜。然后在沟道结构的顶部形成沟槽并沉积多晶硅。去除多余的多晶硅时，由于保护层与多晶硅的刻蚀选择比足够高，不会刻蚀到堆叠结构以及衬底，不会在堆叠结构和衬底的截面处产生衬底凹槽这样的缺陷，有利于提高器件的性能。灰化处理去除保护层，不会有副产物残留，同时也不会对衬底造成损伤。本发明的3D NAND存储器制备方法同样采用上述方法形成多晶硅插塞，因此同样具有以上有益效果。