[发明专利]一种基于P型硅片的太阳能电池片及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202011279813.0 申请日: 2020-11-16
公开(公告)号: CN112420855A 公开(公告)日: 2021-02-26
发明(设计)人: 张树德;魏青竹;刘玉申;况亚伟;赵保星;缪乾;符欣;连维飞;倪志春 申请(专利权)人: 苏州腾晖光伏技术有限公司;常熟理工学院
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/18
代理公司: 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人: 李萍
地址: 215500 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种基于P型硅片的太阳能电池片及其制备方法,简化了制备工艺且太阳能电池片具有较高的转换效率。该太阳能电池片,包括:P型硅片、形成于所述P型硅片正面的正面介质层、位于所述正面介质层上的正面电极、形成于所述P型硅片背面的背面介质层及位于所述背面介质层上的背面电极;其中,P型硅基体具有铝掺杂区域,正面电极与所述P型硅基体的所述铝掺杂区域形成金属接触。铝掺杂区域的制备相较于传统方法,制备过程简单,制备过程温度低,避免体少子寿命降低,保证了电池片的光电转化效率。
搜索关键词: 一种 基于 硅片 太阳能电池 及其 制备 方法
【主权项】:
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