[发明专利]一种干法刻蚀制备硅基OLED阳极及OLED器件的方法

摘要

本发明公开一种OLED阳极的制备方法，先用去离子水清洗硅基板，再在硅基板上形成阳极层，阳极层包括钛膜层、镍膜层、铝膜层、铂膜层、氮化钛膜层、氮化铝膜层中的至少一种导电膜层，然后在阳极层上均匀旋涂0.8微米的碱溶性抗发射涂层和1.5微米的正性光刻胶层，然后对光刻胶层和抗反射涂层进行光刻、显影获得像素点的图形，然后采用刻蚀性气体轰击底部不被光刻胶层和抗发射涂层保护的阳极层，再用显影液去除光刻胶层和抗反射涂层，形成阳极像素点最后对硅基板进行清洗、烘干。采用以上方法制备OLED器件，具有像素点图形精确化，使像素点间距更小，像素密度高等优点。