[发明专利]一种纳米森林结构的制备方法在审
| 申请号： | 202011269623.0 | 申请日： | 2020-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN112520688A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 周娜;毛海央;李俊杰;高建峰;刘洋;李茂;杨涛;李俊峰;王文武;陈大鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 金铭 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种纳米森林结构的制备方法，包括：提供衬底；在所述衬底表面涂覆聚合物层；对所述聚合物层进行至少一次S1和S2处理：S1、通过第一等离子体进行刻蚀，S2、通过第二等离子体进行重聚形成纳米森林结构。本发明采用特殊的干法刻蚀工艺制作纳米森林结构，通过改变刻蚀与重聚的工艺参数，或者通过改变刻蚀与重聚的循环次数，可以有效控制纳米森林结构的尺寸和密度，从而得到精确可控的纳米森林结构。该制备方法具有加工成本低、加工精度高、制备工艺简单的优点，具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 森林 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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