[发明专利]一种基于碳量子点的发光二极管的制备方法在审
| 申请号： | 202011267864.1 | 申请日： | 2020-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN112331809A | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 万军民;王琳 | 申请（专利权）人： | 浙江理工大学 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56 |
| 代理公司： | 浙江永航联科专利代理有限公司 33304 | 代理人： | 蔡鼎 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市钱塘*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及显示器件领域，公开了一种基于碳量子点的发光二极管的制备方法，本发明以3,4‑二羟基苯甲酸为原料，采用水热法，制备绿色荧光CQDs，将CQDs作为客体，氨丙基聚二甲基硅氧烷作为主体，利用主客体掺杂技术制备发光层，制备QLED。使得发光层薄膜中CQDs的分散性得到提高可以应用于QLED，能够抑制器件的发光猝灭。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 量子 发光二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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