[发明专利]DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备在审
| 申请号： | 202011267707.0 | 申请日： | 2020-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN112331256A | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 孙成思;孙日欣;刘冲;雷泰 | 申请（专利权）人： | 深圳佰维存储科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/56 | 分类号： | G11C29/56 |
| 代理公司： | 深圳市博锐专利事务所 44275 | 代理人： | 欧阳燕明 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区桃*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备，通过对待测试的DRAM进行两轮测试，对已写入预设测试数据的所有存储单元进行环绕访问，在环绕访问过程中得到比较结果，通过两轮测试的比较结果得到最终测试结果，相对于现有技术中通过突发读写模式进行的内存测试，难以检测到多存储单元故障，本发明能够覆盖此前的测试盲区并检测出现有技术中较难被发现的芯片缺陷，使桥接故障和耦合故障等多存储单元故障得到激发，提高了故障覆盖率，增强测试结果的可靠性，从而提高产品良性。 | ||
| 搜索关键词： | dram 测试 方法 装置 可读 存储 介质 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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