[发明专利]DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备在审

专利信息
申请号: 202011267707.0 申请日: 2020-11-13
公开(公告)号: CN112331256A 公开(公告)日: 2021-02-05
发明(设计)人: 孙成思;孙日欣;刘冲;雷泰 申请(专利权)人: 深圳佰维存储科技股份有限公司
主分类号: G11C29/56 分类号: G11C29/56
代理公司: 深圳市博锐专利事务所 44275 代理人: 欧阳燕明
地址: 518000 广东省深圳市南山区桃*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: dram 测试 方法 装置 可读 存储 介质 电子设备
【权利要求书】:

1.一种DRAM测试方法,其特征在于,包括步骤:

对待测试的DRAM进行两轮测试,分别得到第一比较结果和第二比较结果;

所述测试包括:

对所述待测试的DRAM写入预设测试数据直至所述待测试的DRAM的所有存储单元均写入数据;

以预设突发长度为单位对所述待测试的DRAM进行遍历直至遍历完所述待测试的DRAM的整个存储阵列;

对于遍历到的所述预设突发长度对应的目标存储单元,对所述目标存储单元写入所述预设测试数据的反数,并对所述目标存储单元进行环绕读取数据,将读取到数据与对应写入的数据进行比较;

第一轮测试的预设测试数据为第二轮测试的预设测试数据的反数;

根据所述第一比较结果和第二比较结果得到所述待测试的DRAM的测试结果。

2.根据权利要求1所述的一种DRAM测试方法,其特征在于,对所述目标存储单元进行环绕读取数据包括:

确定与所述目标存储单元相邻的存储单元,得到相邻存储单元集合;

对所述相邻存储单元集合中的相邻存储单元按照预设顺序逐个地进行数据的读取,将读取到的数据与对应写入的数据进行比较直至所述相邻存储单元集合中的每一个相邻存储单元均被读取数据;

对所述目标存储单元的数据进行读取,将读取的数据与所述预设测试数据的反数进行比较。

3.根据权利要求2所述的一种DRAM测试方法,其特征在于,对所述相邻存储单元集合中的相邻存储单元按照预设顺序逐个地进行数据的读取包括:

以所述目标存储单元为中心,按照预设顺序,对所述目标存储单元8个方位对应的所述相邻存储单元逐个地进行读取,若任一方位不存在所述相邻存储单元,则省略该方位对应的相邻存储单元的数据读取。

4.根据权利要求2所述的一种DRAM测试方法,其特征在于,将读取到的数据与对应写入的数据进行比较之后还包括步骤:

向比较后的存储单元写入所述预设测试数据;

所述比较后的存储单元包括所述相邻存储单元和所述目标存储单元。

5.根据权利要求1所述的一种DRAM测试方法,其特征在于,对所述待测试的DRAM写入预设测试数据直至所述待测试的DRAM的所有存储单元均写入数据包括:

以所述预设突发长度为单位从所述待测试的DRAM的每一第一预设读写单元的低位地址开始写入所述预设测试数据直至所述待测试的DRAM的所有存储单元均写入数据。

6.根据权利要求2至4中任一项所述的一种DRAM测试方法,其特征在于,所述预设顺序包括顺时针方向或者逆时针方向。

7.根据权利要求1至5中任一项所述的一种DRAM测试方法,其特征在于,所述根据所述第一比较结果和第二比较结果得到所述待测试的DRAM的测试结果包括:

若所述第一比较结果与所述第二比较结果均为比较结果一致,则测试结果为成功;否则,测试结果为失败。

8.一种DRAM测试装置,其特征在于,包括:

数据读写模块,用于对待测试的DRAM进行两轮测试,分别得到第一比较结果和第二比较结果;

所述测试包括:

对所述待测试的DRAM写入预设测试数据直至所述待测试的DRAM的所有存储单元均写入数据;

以预设突发长度为单位对所述待测试的DRAM进行遍历直至遍历完所述待测试的DRAM的整个存储阵列;

对于遍历到的所述预设突发长度对应的目标存储单元,对所述目标存储单元写入所述预设测试数据的反数,并对所述目标存储单元进行环绕读取数据,将读取到数据与对应写入的数据进行比较;

第一轮测试的预设测试数据为第二轮测试的预设测试数据的反数;

测试模块,用于根据所述第一比较结果和第二比较结果得到所述待测试的DRAM的测试结果。

9.一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至7任一项所述的一种DRAM测试方法中的各个步骤。

10.一种电子设备,包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序,其特征在于,所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1至7任一项所述的一种DRAM测试方法中的各个步骤。

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