[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202011259983.2 | 申请日： | 2020-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN114496737A | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 张传洋 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/033;H01L21/822;H01L27/10 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 王辉;阚梓瑄 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件及其制造方法。该制造方法包括：提供一包括阵列区和边缘区的基板；在基板上形成复合层，复合层包括非晶硅层和二氧化硅层，且二氧化硅层位于非晶硅层远离基板的表面；采用第一等离子体对阵列区上的二氧化硅层进行干法刻蚀，以露出阵列区上的非晶硅层的部分表面；采用第二等离子体对露出部分表面的非晶硅层进行等离子体表面处理；对等离子体表面处理后的非晶硅层和干法刻蚀后的二氧化硅层进行清洗；在基板的边缘区和阵列区上的复合层上涂布光刻胶层，并曝光、显影。该半导体器的制造方法能够使经过处理的表面层更好地与光刻胶接合，从而提高图形转移的精准度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
