[发明专利]半导体器件和控制半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202011252181.9 | 申请日： | 2020-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN112863558A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 铃木润一 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C5/02 | 分类号： | G11C5/02;G11C5/06;G11C5/14;H01L27/11524;H01L27/11529 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据本公开的各实施例涉及半导体器件和控制半导体器件的方法。电连接至存储器单元的开关电路的占用面积被减小，以减小半导体器件的尺寸。根据一个实施例的半导体器件包括：半导体衬底上的存储器单元；以及半导体芯片，电连接至存储器单元的开关电路被形成在该半导体芯片中，其中开关电路包括电连接至存储器单元的第二晶体管，并且第二晶体管包括通过第三栅极绝缘膜被形成在半导体衬底上的第二字栅极和通过第四栅极绝缘膜被形成在半导体衬底上的第二耦合栅极，第四栅极绝缘膜具有比第三栅极绝缘膜的厚度大的厚度，其中当电流被施加至存储器单元时，比施加至第二字栅极的电压高的电压被施加至第二晶体管的第二耦合栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 控制 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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