[发明专利]半导体结构的加工方法及装置在审

专利信息
申请号: 202011231633.5 申请日: 2020-11-06
公开(公告)号: CN114442442A 公开(公告)日: 2022-05-06
发明(设计)人: 朱伟 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: G03F7/38 分类号: G03F7/38
代理公司: 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 代理人: 李丽
地址: 201203 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明实施例提供了一种半导体结构的加工方法,利用气态的润湿液在半导体结构的光刻曝光面上形成液态的润湿液膜,其中,所述光刻曝光面为已完成光刻曝光的半导体结构表面。本发明实施例所提供的半导体结构的加工方法,利用气态的润湿液液化的方式,在半导体结构的光刻曝光面上形成一层润湿膜,由于气体液化方式是由极微小的慢慢扩大形成的从而可以避免因接触角不匹配,已曝光面张力等原因形成微气泡,使得得到的润湿膜更加均匀,从而在显影过程中,显影液覆盖上所述半导体结构时,显影液能够更加均匀覆盖于半导体结构的表面,并与光刻胶充分反应,防止显影不良,进而可以避免最后形成的半导体结构缺失。
搜索关键词: 半导体 结构 加工 方法 装置
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011231633.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top