[发明专利]发光二极管结构有效
申请号: | 202011229891.X | 申请日: | 2020-11-06 |
公开(公告)号: | CN112331753B | 公开(公告)日: | 2022-11-11 |
发明(设计)人: | 刘广惟 | 申请(专利权)人: | 业成科技(成都)有限公司;业成光电(深圳)有限公司;英特盛科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38;H01L33/60 |
代理公司: | 成都希盛知识产权代理有限公司 51226 | 代理人: | 杨冬梅;张行知 |
地址: | 611730 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 一种发光二极管结构,其包括基板、发光堆叠层、第一电极、导电的第一反射器与第二电极。所述发光堆叠层包括依次层叠设置于所述基板上的多层,所述发光堆叠层靠近与远离所述基板的外表层分别为底层与顶层。所述第一电极位于所述底层远离所述基板的表面上且电性连接所述底层;导电的第一反射器位于所述顶层远离所述基板的表面且电性连接所述顶层,所述第二电极位于所述第一反射器远离所述基板的表面上且电性连接所述第一反射器。本发明提供一种倒装的发光二极管结构。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 结构 | ||
【主权项】:
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