[发明专利]发光二极管结构

说明书

一种发光二极管结构，其包括基板、发光堆叠层、第一电极、导电的第一反射器与第二电极。所述发光堆叠层包括依次层叠设置于所述基板上的多层，所述发光堆叠层靠近与远离所述基板的外表层分别为底层与顶层。所述第一电极位于所述底层远离所述基板的表面上且电性连接所述底层；导电的第一反射器位于所述顶层远离所述基板的表面且电性连接所述顶层，所述第二电极位于所述第一反射器远离所述基板的表面上且电性连接所述第一反射器。本发明提供一种倒装的发光二极管结构。

技术领域

本发明涉及一种发光二极管结构。

背景技术

一现有的发光二极管结构包括基板、位于所述基板的表面的第一半导体层、位于所述第一半导体远离所述基板的表面的有源层、位于所述有源层远离所述第一半导体层的表面的第二半导体层、位于所述第一半导体远离所述基板的表面的第一电极、位于所述第二半导体层远离所述基板一侧的第一反射器、以及位于第二半导体层远离所述基板一侧且部分覆盖第一反射器的第二电极。所述第一电极与所述第一半导体层欧姆接触，所述第二电极与所述第二半导体层欧姆接触，所述第一反射器为分布式布拉格反射器。当因外力作用，使得所述第一反射器在所述第二电极附近出现裂缝且破坏所述第二电极与所述第二半导体层欧姆接触，则容易导致发光二极管不能正常发光，使得产品发生异常。

发明内容

鉴于此，有必要提供一种发光二极管结构，所述发光二极管结构的耐用性高。

本发明一方面提供一种发光二极管结构，包括：

基板；

发光堆叠层，包括依次层叠设置于所述基板上的多层，所述发光堆叠层靠近与远离所述基板的外表层分别为底层与顶层；

第一电极，位于所述底层远离所述基板的表面上且电性连接所述底层；

导电的第一反射器，位于所述顶层远离所述基板的表面且电性连接所述顶层；以及，

第二电极，位于所述第一反射器远离所述基板的表面上且电性连接所述第一反射器。

在本申请实施例，所述第一反射器包括多个第一介质层与多个第二介质层，所述第一介质层与所述第二介质层交替层叠设置且均为导电的，所述第一反射器中的一个第一介质层与所述发光堆叠层接触连接，所述第一介质层的折射率大于所述第二介质层的折射率。

在本申请实施例，所述第一介质层的厚度为所述第二介质层的厚度均为其中λ为所述发光二极管结构发射的光的波长，n₁为所述第一介质层的折射率；n₂为所述第二介质层的折射率。

在本申请实施例，所述第一介质层的材质为掺有铌的氧化钛，所述第二介质层的材质为氧化铟锡。

在本申请实施例，所述发光二极管结构还包括位于所述基板远离所述发光堆叠层的表面上的第二反射器。

在本申请实施例，所述第二反射器包括依次交替层叠设置的多个第三介质层与多个第四介质层，所述第三介质层与所述第四介质层交替层叠设置，所述第二反射器的一个第三介质层与所述基板接触连接；所述第三介质层的折射率大于所述第四介质层的折射率。

在本申请实施例，所述第三介质层的厚度为所述第四介质层的厚度均为其中λ为所述发光二极管结构发射的光的波长，n₃为所述第三介质层的折射率，n₄为所述第四介质层的折射率；所述第三介质层与所述四层为电介质材料层。

在本申请实施例，所述发光堆叠层还包括依次层叠设置于所述底层与所述顶层之间的有源层、半导体层与透明导电层，所述底层为半导体材质层，所述顶层为电流扩散层；所述发光堆叠层还包括位于所述半导体层上且夹设于所述透明导电层之间的电流阻挡层，所述电流阻挡层与所述第二电极正对设置。