[发明专利]失效位元修补方法、装置、设备及存储介质在审
| 申请号： | 202011225125.6 | 申请日： | 2020-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN114444433A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 陈予郎 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/398 | 分类号： | G06F30/398;G06F30/3953;G06F119/02 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 孙宝海;袁礼君 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供一种失效位元修补方法、装置、设备及存储介质，涉及半导体技术领域。该方法包括：获取失效位元所在芯片的备用电路的修补规格；将所述备用电路的修补规格进行标准化处理，获得标准化修补规格；获取所述失效位元在所述芯片上的位置；根据所述标准化修补规格对所述失效位元在所述芯片上的位置进行处理，获得所述失效位元的标准化位置；采用备用电路分配算法根据所述失效位元的标准化位置和所述标准化修补规格分配所述备用电路，获得所述备用电路的标准化修补位置；根据所述标准化修补规格将所述备用电路的标准化修补位置还原为所述备用电路在芯片上的修补位置以修补所述失效位元。该方法实现了提高修补演算法的通用性。 | ||
| 搜索关键词： | 失效 位元 修补 方法 装置 设备 存储 介质 | ||
【主权项】：
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