[发明专利]具有增强的安全操作区域的LDMOS及其制造方法在审
| 申请号： | 202011216548.1 | 申请日： | 2020-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN114188414A | 公开（公告）日： | 2022-03-15 |
| 发明（设计）人： | 李连杰;韩峰;卢彦彬;陈水良;鲁建华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司;台积电（中国）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L29/417;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 陈蒙 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开涉及具有增强的安全操作区域的LDMOS及其制造方法。一种集成电路，包括：n型漂移区域；栅极结构，该栅极结构直接在n型漂移区域的第一部分上；漏极结构，该漏极结构形成在n型漂移区域的第二部分中，栅极结构和漏极结构隔开漂移区域长度；抗蚀剂保护氧化物(RPO)，该抗蚀剂保护氧化物形成在n型漂移区域中在栅极结构与漏极结构之间的部分之上；场板接触件，该场板接触件提供到抗蚀剂保护氧化物的直接电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 增强 安全 操作 区域 ldmos 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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