[发明专利]一种复合扩散制备高矫顽力钕铁硼磁体的方法在审
| 申请号： | 202011211909.3 | 申请日： | 2020-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN112489914A | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 包小倩;曹帅;高学绪;李纪恒;宋鑫芳 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | H01F1/057 | 分类号： | H01F1/057;H01F41/02;C23C10/58 |
| 代理公司： | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人： | 张仲波 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种复合扩散制备高矫顽力钕铁硼磁体的方法，属于稀土永磁材料领域。将低熔点、高润湿性的R1‑M型合金附着在钕铁硼磁体的表面，在600‑800℃进行预扩散处理，并在450‑550℃进行预退火处理，得到晶界相网络，并为后续扩散提供通道；再将R2‑M型合金作为扩散源，在850‑950℃对磁体进行进一步晶界扩散处理，使R2元素在2:14:1主相晶粒的外层形成均匀的磁硬化壳层，并进行退火处理，得到最终磁体。R1为La、Ce、Nd、Pr、Sm中的至少一种，R2为Gd、Tb、Dy和Ho中的至少一种，M为Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Al、Ga、In、Sn、Zn中的至少一种。本发明制备的磁体不仅在引入低重稀土元素条件下获得高的矫顽力，而且扩散距离长且组织均匀，适合尺寸较大的磁体。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 扩散 制备 矫顽力 钕铁硼 磁体 方法 | ||
【主权项】：
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