[发明专利]一种复合扩散制备高矫顽力钕铁硼磁体的方法

权利要求书

1.一种复合扩散制备高矫顽力钕铁硼磁体的方法，其特征在于：第一步通过预扩散将具有较低熔点、高润湿的R1-M合金相引入到钕铁硼初始磁体的晶界处；第二步进行预退火处理，促进R1-M晶界相合金网络连续且均匀分布，既增强相邻主相晶粒间的去磁交换耦合作用，又为后续重稀土合金提供有利的扩散通道，得到中间态磁体；第三步在第二步完成的中间态磁体的基础上，将含有重稀土元素的R2-M合金作为扩散源进行扩散处理，重稀土元素R2借助第二步形成的晶界相扩散通道，沿晶界快速扩散的同时，在主相晶粒的外层形成高磁晶各向异性的磁硬化壳层；第四步进行退火处理，进一步改善第三步形成的边界结构及均匀性，得到最终磁体。

2.如权利要求1所述的一种复合扩散制备高矫顽力钕铁硼磁体的方法，其特征在于：所述的低熔点R1-M合金及含有重稀土元素的R2-M合金中，R1选La、Ce、Nd、Pr、Sm中的至少一种元素，R2选Gd、Tb、Dy和Ho中的至少一种元素，M选Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Al、Ga、In、Sn、Zn中的至少一种元素。

3.如权利要求1所述的一种复合扩散制备高矫顽力钕铁硼磁体的方法，其特征在于：R1-M合金的熔点选择300-600℃；R2-M合金中R2的原子百分数选择50-90％。

4.如权利要求1所述的一种复合扩散制备高矫顽力钕铁硼磁体的方法，其特征在于：第一步预扩散处理的温度为600-800℃，时间为1-6h。

5.如权利要求1所述的一种复合扩散制备高矫顽力钕铁硼磁体的方法，其特征在于：第二步预退火温度450-550℃，时间0.1-4h。

6.如权利要求1所述的一种复合扩散制备高矫顽力钕铁硼磁体的方法，其特征在于：第三步晶界扩散的温度为850-950℃，时间为1-4h。

7.如权利要求1所述的一种复合扩散制备高矫顽力钕铁硼磁体的方法，其特征在于：第四步退火温度450-550℃，时间0.1-4h。

8.如权利要求1所述的一种复合扩散制备高矫顽力钕铁硼磁体的方法，其特征在于：第一步预扩散处理向磁体内引入的晶界相体积分数为0.5-5％；第三步扩散形成重稀土磁硬化壳层厚度为2-20nm。