[发明专利]接触结构的制作方法有效
| 申请号： | 202011208320.8 | 申请日： | 2020-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN113608409B | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 何熊武;徐伟国;白源吉;谈文毅 | 申请（专利权）人： | 联芯集成电路制造(厦门)有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F1/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 361100 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种接触结构的制作方法，其包括下列步骤，提供基底，基底包括第一区与第二区。在基底上形成介电层，并于介电层上形成光致抗蚀剂层。进行曝光制作工艺，曝光制作工艺包括多个第一曝光步骤与多个第二曝光步骤。各第一曝光步骤是对基底的第一区的一部分进行。各第二曝光步骤是对基底的第二区的一部分进行，且各第二曝光步骤是在以第一预定距离形成的第一叠对偏移的状况下进行。进行显影制作工艺，用以在光致抗蚀剂层中形成多个开口。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
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