[发明专利]一种集成NPN穿通三极管的屏蔽栅MOSFET器件在审
| 申请号： | 202011197262.3 | 申请日： | 2020-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN112186028A | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;赵一尚;胡汶金;林泳浩;李伟聪 | 申请（专利权）人： | 深圳市威兆半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 | 代理人： | 彭西洋;袁曼曼 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种集成NPN穿通三极管的屏蔽栅MOSFET器件，包括元胞结构，所述元胞结构包括从下至上依次层叠的漏极金属、N+衬底、N型漂移区、源极金属；所述N型漂移区的内部上层设有P型基区，P型基区的内部上表面设有紧邻接触的N型重掺杂区及P型重掺杂区；两个相邻的所述P型基区之间的N型漂移区上表面形成两个相邻的沟槽栅极结构；两个相邻的所述沟槽栅极结构之间设有P型轻掺杂区；每一沟槽栅极结构包括上下布置的N+Poly栅极、N型源极接触区；所述N+Poly栅极、N型源极接触区分别经氧化层包裹。本发明进一步优化屏蔽栅MOSFET器件的电流能力以及电压能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 npn 三极管 屏蔽 mosfet 器件 | ||
【主权项】：
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