[发明专利]硅片载板、载板电极装置和镀膜设备在审
申请号: | 202011187245.1 | 申请日: | 2020-10-29 |
公开(公告)号: | CN112226746A | 公开(公告)日: | 2021-01-15 |
发明(设计)人: | 左国军;梁建军;朱海剑 | 申请(专利权)人: | 常州捷佳创精密机械有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/50 |
代理公司: | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人: | 尚志峰 |
地址: | 213133 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供了一种硅片载板、载板电极装置和镀膜设备。其中,硅片载板包括:载板框架;多个第一电极组件,设于载板框架的内侧,且沿载板框架的周向方向间隔设置;托盘,设于多个第一电极组件的顶部,托盘用于放置硅片;其中,每个第一电极组件延伸至载板框架的底部,用于接触镀膜工艺腔体,置于托盘上的硅片能够通过托盘和第一电极组件与镀膜工艺腔体导通。本发明的技术方案,通过硅片载板与镀膜工艺腔体之间的配合,使硅片能够均匀地接地,可有效增强连接高频的电极板与硅片载板之间的电场的均匀性,可在镀膜过程中使工艺气体能够均匀地附着于硅片表面,有利于改善镀膜效果,提高硅片产品的质量。 | ||
搜索关键词: | 硅片 电极 装置 镀膜 设备 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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