[发明专利]一种SOD膜的处理方法在审
| 申请号： | 202011182455.1 | 申请日： | 2020-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN114429934A | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 安重镒;李相遇;金成基;白国斌;高建峰;王桂磊;丁云凌;田光辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 金铭 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种SOD膜的处理方法。一种SOD膜的处理方法，包括：第一次低温退火：在300℃～500℃温度下，向SOD膜交替通入氧气气体、氮气气体；第二次低温退火：在300℃～500℃温度下，向SOD膜通入氧气和氢气的混合气体；第三次高温退火：在700℃～1100℃温度下，向SOD膜通入氧气和氢气的混合气体。本发明能够促使材料放气以提高间隙填充能力，还能通过高温下的退火提高SOD膜致密度，减少孔洞，提高了膜强度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sod 处理 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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