[发明专利]一种SOD膜的处理方法在审
| 申请号： | 202011182455.1 | 申请日： | 2020-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN114429934A | 公开（公告）日： | 2022-05-03 |
| 发明（设计）人： | 安重镒;李相遇;金成基;白国斌;高建峰;王桂磊;丁云凌;田光辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 金铭 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sod 处理 方法 | ||
1.一种SOD膜的处理方法，其特征在于，包括：
第一次低温退火：在300℃～500℃温度下，向SOD膜交替通入氧气气体、氮气气体；
第二次低温退火：在300℃～500℃温度下，向SOD膜通入氧气和氢气的混合气体；
第三次高温退火：在700℃～1100℃温度下，向SOD膜通入氧气和氢气的混合气体。
2.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述第一次低温退火中交替通入气体时，第一次通入的气体和最后一次通入的气体均为氧气气氛。
3.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述第一次低温退火中交替通入的气体依次为：氧气气体、氮气气体、氧气气体、氮气气体、氧气气体。
4.根据权利要求1-3任一项所述的处理方法，其特征在于，所述第一次低温退火的退火总时长为10min～120min。
5.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述第二次低温退火的退火总时长为10min～120min。
6.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述第三次高温退火的退火总时长为10min～120min。
7.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述处理方法中的升温速度为3℃/min～10℃/min。
8.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述处理方法在批量芯片沉积设备、单一芯片沉积设备或炉管沉积设备中进行。
9.根据权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述SOD膜用于DRAM、NAND FLASH或逻辑器件中的STI填充。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司，未经中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011182455.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
