[发明专利]具有堆叠到衬底连接的高密度柱互连转换在审
| 申请号： | 202011180855.9 | 申请日： | 2020-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN112786528A | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | O·R·费伊;K·K·柯比;A·N·辛格 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L25/065 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及具有堆叠到衬底连接的高密度柱互连转换。一种半导体装置组合件可以包含第一半导体装置和中介层。所述中介层可以包含衬底和通孔，其中各个通孔包含暴露部分和嵌入部分，所述暴露部分从所述衬底的第一表面和第二表面中的一者或两者突出，并且所述嵌入部分延伸穿过所述衬底的至少一部分。所述中介层可以包含一或多个测试焊盘、第一电触点和第二电触点。所述半导体装置组合件可以包含控制器，所述控制器位于所述中介层的与所述第一半导体装置相对的一侧上，并且通过与所述第二电触点的连接可操作地耦合到所述中介层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 堆叠 衬底 连接 高密度 互连 转换 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
