[发明专利]IGBT功率模块端子与裸铜基板的焊接工艺在审
申请号: | 202011174712.7 | 申请日: | 2020-10-28 |
公开(公告)号: | CN112271142A | 公开(公告)日: | 2021-01-26 |
发明(设计)人: | 陶少勇;杨幸运;刘磊 | 申请(专利权)人: | 安徽瑞迪微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/488 |
代理公司: | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人: | 朱顺利 |
地址: | 241002 安徽省芜湖市弋江区*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种GBT功率模块端子与裸铜基板的焊接工艺,包括步骤:S1、将端子放置在裸铜基板的上方,将端子焊接面与裸铜基板的焊接面相接触;S2、键合焊头将超声波能量施加到端子和裸铜基板上,使端子与裸铜基板进行焊接。端子包括第一连接部、第二连接部和焊接部,第一连接部具有第一背面,第二连接部具有第二背面,第一背面与第二背面相连接且第一背面与第二背面之间的夹角为80‑90°,焊接部的宽度为第二连接部的宽度的1.5‑2倍,焊接部与裸铜基板焊接。本发明的GBT功率模块端子与裸铜基板的焊接工艺,使端子的焊接受力点内弯80‑90°,可以在超声焊接过程中减少对焊接面的拉拽力。 | ||
搜索关键词: | igbt 功率 模块 端子 裸铜基板 焊接 工艺 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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