[发明专利]薄膜晶体管阵列基板、像素电路、X射线探测器及其驱动方法有效
申请号: | 202011169485.9 | 申请日: | 2020-10-28 |
公开(公告)号: | CN112002721B | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
发明(设计)人: | 陈钢 | 申请(专利权)人: | 南京迪钛飞光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/32;G01T1/24 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 210033 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提出一种薄膜晶体管阵列基板、像素电路、X射线探测器及其驱动方法,涉及光电技术领域,所述薄膜晶体管阵列基板包括水平排布的扫描线和读取扫描线、垂直排布的数据线和偏压线,以及由扫描线和数据线交叉限定的多个像素单元,每个像素单元包括位于光电导区的光电导薄膜晶体管和位于读取端的读取薄膜晶体管,本发明利用aSi薄膜晶体管的光电导效应,对光电流积分并控制放大倍数,实现像素内信号放大,在降低放射剂量的同时也能够实现放大倍数的精准控制;同时简化了像素结构和工艺结构。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 像素 电路 射线 探测器 及其 驱动 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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