[发明专利]双层硅基光子器件的制作方法及双层硅基光子器件有效
| 申请号： | 202011167356.6 | 申请日： | 2020-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN112327412B | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 唐波;张鹏;杨妍;李志华;刘若男;李彬;黄凯;谢玲;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G02B6/136 | 分类号： | G02B6/136;G02B6/13 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 金铭 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种双层硅基光子器件的制作方法及双层硅基光子器件，该双层硅基光子器件的制作方法包括以下步骤：提供第一层波导结构绝缘体上硅(SOI)衬底；在所述绝缘体上硅(SOI)衬底上形成第一层波导结构；采用介质材料回填第一层；在非第一层波导结构的所述介质材料区域形成凹槽；采用各向同性腐蚀工艺腐蚀所述凹槽，以在所述凹槽上形成斜面；沉积第二层波导材料，所述第二层波导材料在所述凹槽处与所述第一层波导结构耦合。采用各向同性腐蚀方法将层间介质形成斜坡，使第二层波导材料与第一层波导结构在同一层次实现耦合，增加耦合效率，降低层间串扰。 | ||
| 搜索关键词： | 双层 光子 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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