[发明专利]一种半导体器件及制作方法在审
| 申请号： | 202011156829.2 | 申请日： | 2020-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN112331800A | 公开（公告）日： | 2021-02-05 |
| 发明（设计）人： | 乔小平 | 申请（专利权）人： | 福建华佳彩有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32;G02F1/1343 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 徐剑兵;林祥翔 |
| 地址： | 351100 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及制作方法，其中制作方法包括如下步骤:在基板上制作辅助阴极；制作具有开槽的隔离层，所述开槽的底部宽度大于所述开槽的顶部宽度；通过第一蒸发源在基板上形成有机膜层，所述第一蒸发源的蒸汽经过开槽时未被开槽顶部遮挡的部分进入到开槽底部形成有机膜层；所述有机膜层的侧边与开槽底部侧边具有间隙并露出所述辅助阴极；通过蒸镀的方式在基板上形成阴极，蒸镀时的蒸汽从不同角度穿过所述开槽的顶部并覆盖开槽的整个底部，所述阴极覆盖所述开槽中的有机膜层且侧边通过所述间隙与辅助阴极连接。上述技术方案可以提升阴极在工作时的稳定性，避免半导体器件(如显示面板)出现发光不均匀的现象(IR‑Drop现象)。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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