[发明专利]微型发光二极管阵列及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202011148393.2 申请日: 2020-10-23
公开(公告)号: CN112234129A 公开(公告)日: 2021-01-15
发明(设计)人: 毕文刚 申请(专利权)人: 江苏第三代半导体研究院有限公司
主分类号: H01L33/46 分类号: H01L33/46;H01L21/78;H01L27/15;H01L33/60
代理公司: 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 代理人: 孙佳胤
地址: 215123 江苏省苏州市苏州工业园*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供了一种微型发光二极管阵列及其制备方法。所述阵列包括:支撑衬底;发光二极管的发光结构,所述发光结构设置在所述支撑衬底表面;绝缘层,所述绝缘层环绕所述发光结构设置,且在所述绝缘层和所述发光结构的侧壁之间设置光反射层,所述光反射层倾斜设置,以使所述光反射层具有聚拢所述发光二极管出射光的作用。
搜索关键词: 微型 发光二极管 阵列 及其 制备 方法
【主权项】:
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