[发明专利]一种硅片键合式IGBT器件及其制作方法有效
| 申请号： | 202011132090.1 | 申请日： | 2020-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN112259599B | 公开（公告）日： | 2021-10-12 |
| 发明（设计）人： | 严利人;刘志弘 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331;H01L21/18 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 李全旺 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅片键合式IGBT器件及其制作方法。该IGBT器件包括正面结构和背面结构，正面结构和背面结构实现在两片硅片上，两片硅片采用键合的方式构成完整一体的IGBT器件，两片硅片的键合接触面处均设有专门的接触面结构,接触面结构由金属接触层和终端结构组成，金属接触层位于中间位置，终端结构设于金属接触层四周对所述金属接触层进行保护。本发明提供了一种采用键合方式制作的IGBT器件及其制作方法，在将要键合的两片硅片上，分别制作终端结构和金属接触层，其中终端结构可以抑制漏电流和提高器件耐压，而两层金属层接触相接触，能够构成较好的键合，主要的空穴‑电子复合可以发生在此处，能够克服前述器件性能不佳的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 合式 igbt 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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