[发明专利]材料处理设备及其操作方法在审
| 申请号： | 202011125167.2 | 申请日： | 2020-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN114005766A | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 刘劭祺 | 申请（专利权）人： | 刘劭祺 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 朱颖;刘芳 |
| 地址： | 中国台湾高雄市左营*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种材料处理设备，包括处理腔室、外部压力源、减压器、温度调节器以及控制器。处理腔室具有内部空间。外部压力源连接于处理腔室，用以对内部空间进行加压动作。减压器连接于处理腔室，用以对内部空间进行减压动作。温度调节器设置于处理腔室内，用以调节内部空间中的温度。控制器用以控制外部压力源与温度调节器，使处理腔室内的温度与压力分别上升至第一预定温度与第一预定压力，且用以控制在上升至第一预定温度之前处理腔室内的压力持续上升。另提供一种材料处理设备的操作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 材料 处理 设备 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
