[发明专利]非易失型闪存深睡眠低静态功耗的电路有效
| 申请号： | 202011117308.6 | 申请日： | 2020-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN111951866B | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 冯鹏亮;陈纬荣;陈慧 | 申请（专利权）人： | 深圳市芯天下技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/30 | 分类号： | G11C16/30;G06F1/3234 |
| 代理公司： | 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377 | 代理人： | 陈志超;唐敏珊 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区横*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非易失型闪存深睡眠低静态功耗的电路，在原有逻辑电路的长通电源架构基础上，提出了对于除了响应退出深睡眠状态指令相应的NOR Flash接口电路、负责上电状态机的模块仍然保持使用常通电源电压,其余负责擦除编程的状态机的模块会使用可关断的电源电压；在芯片接收到进入深睡眠的指令后，由可关断电源域供电的模块将会被完全关断，这样就会完全消除了这些模块的漏电流，也就降低了深睡眠状态下的芯片的深睡眠电流；由于NOR Flash接口电路仍然使用常通的电源域，能保证芯片能够时刻响应用户的退出深睡眠状态的指令。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失型 闪存 睡眠 静态 功耗 电路 | ||
【主权项】：
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