[发明专利]一种晶圆中心的校正方法及系统有效
| 申请号： | 202011114387.5 | 申请日： | 2020-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN111933557B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 王振择;林政纬;杨智强 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/68 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 郭明 |
| 地址： | 102199 北京市大兴区经济技术开发*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆中心的校正方法及系统，其中，所述校正系统包括：机台本体；反应腔，位于所述机台本体内；吸附设备，包括一静电吸盘，所述静电吸盘上具有图案，所述静电吸盘上形成有一层高分子薄膜，所述高分子薄膜覆盖所述图案；测试控片，用于粘结所述高分子薄膜，以获取所述图案；光学扫描设备，用于显示所述图案的分布情况；偏移量计算器，用于根据所述分布情况，确定所述图案的中心与所述测试控片中心的偏移量；偏移量校正器，用于根据所述偏移量，校正所述图案的中心与另一所述测试控片的中心重合。本发明能精准校正晶圆的中心，且大幅度减少了生产工序流程和生产时间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 中心 校正 方法 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶芯成（北京）科技有限公司，未经晶芯成（北京）科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011114387.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
