[发明专利]基于n-GaN/p-GaSe/石墨烯异质结的自驱动超宽光谱光电探测器及制备方法

摘要

本发明公开了一种自驱动超宽光谱的光电探测器，主要解决现有技术自驱动性能低和可探测光谱窄的问题。其自下而上包括：衬底层(1)、缓冲层(2)、n型GaN层(3)，n型GaN层上方的两侧分别设有p型层(4)与Ni/Au电极(6),该缓冲层采用磁控溅射氮化铝层(21)和石墨烯层(22)双层结构，该GaSe层的上方一侧及与Ni/Au电极之间设有石墨烯层(5)，该GaSe层(4)上方的另一侧设有Au电极(7)，其与GaSe层形成肖特基接触；石墨烯层分别与Ni/Au电极和Au电极之间相互隔离。本发明提升了探测器的自驱动性能，拓展了探测器的可探测光谱范围，可用于成像，光通信，传感和生物医学。