[发明专利]一种基于自牺牲金属氧化物薄膜模板制备金属-有机框架薄膜的方法在审
| 申请号： | 202011098732.0 | 申请日： | 2020-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN114369252A | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 谷志刚;王大为;康遥;张健 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C08G83/00 | 分类号： | C08G83/00;C08J5/18;C25B11/095;C25B1/04;C08L87/00 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 聂稻波 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于自牺牲金属氧化物薄膜模板制备金属‑有机框架薄膜的方法，首先采用晶种法在基底表面生长一层致密的金属氧化物薄膜，然后利用MOFs的前驱体咪唑和钼酸(或钨酸)不断地刻蚀金属氧化物薄膜模板，从而制得表面平整、均匀致密、结晶性好的MOFs(HZIFs)薄膜。本发明方法实现了MOFs(HZIFs)薄膜材料的高致密生长，克服了现有技术中MOFs薄膜仅能在高温下才能生长的技术难题，能够广泛适用于气体分离、传感器和电催化领域。同时本发明MOFs薄膜材料可以根据实际需要选择相应的平面基底或者三维基底，具有很高的普适性，从而为MOFs薄膜材料的大范围应用提供了新的途径。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 牺牲 金属 氧化物 薄膜 模板 制备 有机 框架 方法 | ||
【主权项】：
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