[发明专利]一种渐进式晶圆烘烤方法在审
| 申请号： | 202011088528.0 | 申请日： | 2020-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN112216634A | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 耿克涛;刘金;刘长伟;王冲;汪钢 | 申请（专利权）人： | 宁波润华全芯微电子设备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 宁波高新区永创智诚专利代理事务所(普通合伙) 33264 | 代理人： | 李鑫 |
| 地址： | 315400 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种渐进式晶圆烘烤方法，涉及半导体技术领域，该方法通过在晶圆放入加热盘加热时，首先将晶圆通过升降机构限位在高位，使得其与加热盘的发热源远离；在加热盘加热晶圆直至加热完成的过程中，升降机构将晶圆下降使得其与加热盘的发热源逐渐靠近，直至晶圆停止；在晶圆加热完成后，升降机构将晶圆上升至初始高度位置，然后通过机械手将其夹持脱离加热盘。本发明渐进式晶圆烘烤方法保证了烘烤过程中的温度连续稳定升降，避免了薄晶圆在烘烤中翘曲、碎片的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 渐进 式晶圆 烘烤 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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