[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 202011082031.8 | 申请日： | 2020-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN111933703B | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 王珏;陈政;戴银;徐杨;徐承福 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路制造（绍兴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 312000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管及其形成方法。该形成方法中，是在形成第一掺杂类型的集电极区和第二掺杂类型的缓冲区之后，再形成氢掺杂，从而可以避免所形成的氢掺杂区受到其他掺杂区的加工工艺的影响，有利于提高氢掺杂区的制备工艺的控制精度，更易于形成往远离衬底表面的方向离子浓度峰值依次降低的多个氢掺杂分区。此时，基于所形成的缓冲区和浓度分布可精确控制的氢掺杂区，可以使得晶体管器件在关断时能够实现高效率的电场截止，提高晶体管器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 栅双极型 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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