[发明专利]基于蓝宝石衬底的HEMT的制备方法在审
| 申请号： | 202011078663.7 | 申请日： | 2020-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN112216610A | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 庄文荣;卢敬权 | 申请（专利权）人： | 东莞市中镓半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/683;H01L21/50;H01L23/373 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 523000 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于蓝宝石衬底的HEMT的制备方法，包括步骤：1)提供蓝宝石衬底，于蓝宝石衬底上外延生长GaN外延层；2)将GaN外延层键合至高导热基底上；3)剥离蓝宝石衬底，以显露GaN外延层的剥离面；4)对剥离面进行抛光处理，获得GaN抛光表面；5)基于GaN抛光表面完成GaN基HEMT结构层的外延生长。本发明采用蓝宝石衬底外延生长GaN，衬底成本较低，且可以有效提高HEMT结构层的晶体质量；本发明可以有效提高HEMT的良率，同时解决了蓝宝石衬底导热不足的缺陷，使得HEMT可以工作于较大功率的条件下。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 蓝宝石 衬底 hemt 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
