[发明专利]一种检测磁源深度的测磁阵列装置及方法有效

专利信息
申请号: 202011078273.X 申请日: 2020-10-10
公开(公告)号: CN112213380B 公开(公告)日: 2022-07-15
发明(设计)人: 于润桥;胡博;杨勇捍;夏桂锁;程强强;程东方 申请(专利权)人: 上海达铭科技有限公司
主分类号: G01N27/82 分类号: G01N27/82;G01R33/02;G01B7/26
代理公司: 上海泰能知识产权代理事务所(普通合伙) 31233 代理人: 宋缨
地址: 201203 上海市自*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种检测磁源深度的测磁阵列装置,包括:第一测磁传感器单元、第二测磁传感器单元和第三测磁传感器单元,每组所述测磁传感器单元之间按预设间距水平排列,所述第一测磁传感器单元包括上下放置的第一测磁传感器和第四测磁传感器,所述第二测磁传感器单元包括上下放置的第二测磁传感器和第五测磁传感器,所述第三测磁传感器单元包括上下放置的第三测磁传感器和第六测磁传感器。本发明还涉及一种检测磁源深度的方法,通过得到的两组磁异常信号来计算两个磁源目标深度,并将两个磁源目标深度取平均值得到最终磁源深度。本发明能够有效检测磁源深度,实用性较好。
搜索关键词: 一种 检测 深度 阵列 装置 方法
【主权项】:
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