[发明专利]一种检测磁源深度的测磁阵列装置及方法

说明书

本发明涉及一种检测磁源深度的测磁阵列装置，包括：第一测磁传感器单元、第二测磁传感器单元和第三测磁传感器单元，每组所述测磁传感器单元之间按预设间距水平排列，所述第一测磁传感器单元包括上下放置的第一测磁传感器和第四测磁传感器，所述第二测磁传感器单元包括上下放置的第二测磁传感器和第五测磁传感器，所述第三测磁传感器单元包括上下放置的第三测磁传感器和第六测磁传感器。本发明还涉及一种检测磁源深度的方法，通过得到的两组磁异常信号来计算两个磁源目标深度，并将两个磁源目标深度取平均值得到最终磁源深度。本发明能够有效检测磁源深度，实用性较好。

技术领域

本发明涉及电磁无损检测技术领域，特别是涉及一种检测磁源深度的测磁阵列装置及方法。

背景技术

金属材料(构件)内部的缺陷或结构界面，如夹杂、气孔、分层、焊缝熔池等，在材料(构件)表面会产生一定的磁场异常信号，这种能够引起磁场异常信号的缺陷都可以统称为目标磁源。对目标磁源进行无损检测，并准备确定目标磁源的埋藏深度，是无损检测领域的重要问题。常用的无损检测方法：涡流检测(ECT)、射线检测(RT)、超声检测(UT)、磁粉检测(MT)和渗透检测(PT)五种。涡流检测(ECT)、磁粉检测(MT)和渗透检测(PT)一般适用于表面和近表面检测。射线检测(RT)对缺陷的检出率高，缺陷显像更为直观；但受入射角度和构件厚度的影响，不能够对缺陷深度有效定量。超声检测(UT)一般需要耦合剂，也存在能够检出缺陷但无法判定埋深的问题。因此，现有无损检测技术一般能够发现缺陷，但是无法对缺陷的埋藏深度进行准确定量。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种检测磁源深度的测磁阵列装置及方法，能够有效检测磁源深度。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种检测磁源深度的测磁阵列装置，包括：第一测磁传感器单元、第二测磁传感器单元和第三测磁传感器单元，每组所述测磁传感器单元之间按预设间距水平排列，所述第一测磁传感器单元包括上下放置的第一测磁传感器和第四测磁传感器，所述第二测磁传感器单元包括上下放置的第二测磁传感器和第五测磁传感器，所述第三测磁传感器单元包括上下放置的第三测磁传感器和第六测磁传感器。

所述测磁传感器为单分量传感器，所述单分量传感器用于测量垂直于检测面方向的磁感应强度。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：还提供一种检测磁源深度的方法，采用上述测磁阵列装置，包括：

步骤(1)：利用所述测磁阵列装置在检测面上移动扫查，找到目标磁源，并使所述第二测磁传感器单元正对于目标磁源；

步骤(2)：调整测磁传感器单元之间的间距，使所述第一测磁传感器单元和第三测磁传感器单元检测到的磁场信号只包括背景磁场；

步骤(3)：根据所述第一测磁传感器单元、第二测磁传感器单元和第三测磁传感器单元的测量值来剔除背景磁场，得到目标磁源在不同高度位置产生的第一组和第二组磁异常信号；

步骤(4)：根据所述目标磁源在不同高度位置产生的第一组和第二组磁异常信号，来分别计算第一目标磁源深度h₁和第二目标磁源深度h₂，并将所述第一目标磁源深度h₁和第二目标磁源深度h₂取平均值得到最终目标磁源深度。

所述步骤(3)具体为：根据所述第一测磁传感器单元和第二测磁传感器单元的测量值来剔除背景磁场，得到目标磁源在不同高度位置产生的第一组磁异常信号，公式为：

D1＝B2-B1

D2＝B5-B4

根据所述第二测磁传感器单元和第三测磁传感器单元的测量值来剔除背景磁场，得到目标磁源在不同高度位置产生的第二组磁异常信号，公式为：

D3＝B3-B2

D4＝B6-B5