[发明专利]一种检测磁源深度的测磁阵列装置及方法

权利要求书

1.一种检测磁源深度的方法，其特征在于，采用检测磁源深度的测磁阵列装置，装置包括：第一测磁传感器单元、第二测磁传感器单元和第三测磁传感器单元，每组所述测磁传感器单元之间按预设间距水平排列，所述第一测磁传感器单元包括上下放置的第一测磁传感器和第四测磁传感器，所述第二测磁传感器单元包括上下放置的第二测磁传感器和第五测磁传感器，所述第三测磁传感器单元包括上下放置的第三测磁传感器和第六测磁传感器；

所述测磁传感器为单分量传感器，所述单分量传感器用于测量垂直于检测面方向的磁感应强度；

方法包括：

步骤(1)：利用所述测磁阵列装置在检测面上移动扫查，找到目标磁源，并使所述第二测磁传感器单元正对于目标磁源；

步骤(2)：调整测磁传感器单元之间的间距，使所述第一测磁传感器单元和第三测磁传感器单元检测到的磁场信号只包括背景磁场；

步骤(3)：根据所述第一测磁传感器单元、第二测磁传感器单元和第三测磁传感器单元的测量值来剔除背景磁场，得到目标磁源在不同高度位置产生的第一组和第二组磁异常信号；

步骤(4)：根据所述目标磁源在不同高度位置产生的第一组和第二组磁异常信号，来分别计算第一目标磁源深度h₁和第二目标磁源深度h₂，并将所述第一目标磁源深度h₁和第二目标磁源深度h₂取平均值得到最终目标磁源深度。

2.根据权利要求1所述的检测磁源深度的方法，其特征在于，所述步骤(3)具体为：根据所述第一测磁传感器单元和第二测磁传感器单元的测量值来剔除背景磁场，得到目标磁源在不同高度位置产生的第一组磁异常信号，公式为：

D1＝B2-B1

D2＝B5-B4

根据所述第二测磁传感器单元和第三测磁传感器单元的测量值来剔除背景磁场，得到目标磁源在不同高度位置产生的第二组磁异常信号，公式为：

D3＝B3-B2

D4＝B6-B5

其中，B1～B6分别表示所述第一测磁传感器到第六测磁传感器检测到的磁场信号。

3.根据权利要求2所述的检测磁源深度的方法，其特征在于，所述步骤(4)具体为：根据所述目标磁源在不同高度位置产生的第一组磁异常信号来计算第一目标磁源深度h₁，公式为：

其中，D1＝B2-B1且D2＝B5-B4且H表示测磁传感器的高度，θ₁表示目标磁源产生的等效电流元Idl和从等效电流元到所述第一测磁传感器单元的位置矢量之间的夹角，μ₀表示真空磁导率；

根据所述目标磁源在不同高度位置产生的第二组磁异常信号来计算第二目标磁源深度h₂，公式为：

其中，D3＝B3-B2且D4＝B6-B5且H表示测磁传感器的高度，θ₂表示目标磁源产生的等效电流元Idl和从等效电流元到所述第三测磁传感器单元的位置矢量之间的夹角，μ₀表示真空磁导率；

将所述第一目标磁源深度h₁和第二目标磁源深度h₂取平均值得到最终目标磁源深度。