[发明专利]溅射装置在审
| 申请号： | 202011077274.2 | 申请日： | 2020-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN112663003A | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 原田学;荒谷卓磨;藤长彻志;细田郁雄;合使由贵;池田进;岩井治宪 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/08 |
| 代理公司： | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 | 代理人： | 齐永红;秦岩 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种溅射装置，其设置为在通过靶的溅射形成介电膜时，可长时间有效抑制阳极消失。溅射装置(SM)包括配置有靶(2)的真空室(1)以及向靶施加给定电力的溅射电源(Ps)，通过向靶施加电力在真空室内形成等离子体气氛，并对靶进行溅射，从而在位于真空室内的基板(Sw)表面上形成介电膜；在对靶进行溅射时，围绕靶的周围设置作为阳极发挥作用的环形部件(3)；环形部件配置为其上表面(30)比靶的溅射面(2a)更靠下方，并且环形部件上设置有悬浮电位的防护板(6)，其设置在靶的周围且局部覆盖环形部件的上表面，环形部件还包括正电位保持装置，其将环形部件保持为正电位。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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