[发明专利]基于化学气相输运法制备针状磷化硅晶体的方法在审
| 申请号： | 202011074121.2 | 申请日： | 2020-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN114318520A | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 胡章贵;武羽;邱海龙;吴以成 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;C30B29/10;C30B29/62 |
| 代理公司： | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人： | 李蕊 |
| 地址： | 300384 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于化学气相输运法制备针状磷化硅晶体的方法，包括以下步骤：在石英管的生长端一侧放置一基底，在石英管的反应端一侧放置源材料和输运剂，对石英管进行抽真空，抽真空后密封石英管，其中，源材料为单质硅和单质红磷的混合物，输运剂为KCl；对石英管的反应端和生长端同时加热13～18h，加热后随炉冷却至室温20～25℃，在基底上得到针状磷化硅晶体，其中，反应端的加热温度为1100‑1050，生长端的加热温度为670～900℃。本发明利用化学气相输运法实现了针状磷化硅晶体材料的制备，为IVA‑VA新型半导体材料合成提供经验，也为化学气相输运法生二维晶体材料提供有利支撑。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 化学 输运 法制 针状 磷化 晶体 方法 | ||
【主权项】：
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