[发明专利]一种高质量二硫化钼薄膜的原子层沉积制备方法

摘要

本发明提供了一种高质量二硫化钼薄膜的原子层沉积方法，包括以下步骤：在预处理衬底上分别通入钼前驱体和硫前驱体，进行原子层沉积，得到高质量二硫化钼薄膜；所述钼前驱体选自氯化钼，所述硫前驱体选自硫化氢；或所述钼前驱体选自双(叔丁基)双(二甲基氨基)钼，所述硫前驱体选自二硫化二甲基。本发明采用上述种类的钼源和硫源，利用电子层沉积技术可以获得高质量二硫化钼薄膜。该方法能选择多种前驱体，具有较高的可行性。该方法能够满足目前所需的高质量，大范围，层数可控的条件，对于二硫化钼薄膜的研究和应用有着重大意义。该方法制备的薄膜的保形性好，且表面均匀。