[发明专利]浅沟槽隔离结构的制造方法及其形成的浅沟槽隔离结构有效
| 申请号： | 202011069600.5 | 申请日： | 2020-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN111933570B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 陈宏玮;杨子亿;陈文俊;曹平 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 夏苗苗 |
| 地址： | 102199 北京市大兴区经济技术开发*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种浅沟槽隔离结构的制造方法及其形成的浅沟槽隔离结构。该制造方法包括：提供一衬底；于所述衬底上形成垫氧化层和垫氮化层，并使用第一刻蚀制程形成隔离沟槽；使用一具有预设温度为80～150℃的表面处理液来消除所述隔离沟槽内衬底表面上的离子电荷和/或残氧基团，并形成一第一氧化层，所述表面处理液包括比例为(2.2～6.3)：1的硫酸和氧化物的混合溶液；使用第二刻蚀制程刻蚀暴露所述衬底并形成一宽度为1‑15nm的台阶；使用原位蒸汽产生制程在所述隔离沟槽内形成一第二氧化层以钝化所述台阶；于所述钝化后的隔离沟槽中沉积绝缘介质，平坦化所述绝缘介质以形成所述浅沟槽隔离结构。本发明的制造方法避免或降低刻蚀过程中对衬底的损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 制造 方法 及其 形成 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶芯成（北京）科技有限公司，未经晶芯成（北京）科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202011069600.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
